一種一氧化鈷/碳納米結構陣列的制備方法及應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310641836.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103632856A 公開（公告）日 2014-03-12
申請公布號 CN103632856A 申請公布日 2014-03-12
分類號 H01G11/24(2013.01)I;H01G11/30(2013.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐一文;汪海;呂剛;孫永明;周煒 申請（專利權）人 武漢珈偉光伏照明有限公司
代理機構 武漢宇晨專利事務所 代理人 華中師范大學;武漢珈偉光伏照明有限公司
地址 430079 湖北省武漢市洪山區(qū)珞瑜路152號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 發(fā)明屬于超級電容器復合電容材料制備技術領域，具體公開了一種一氧化鈷/碳納米結構陣列的制備方法及應用，在95℃水熱條件下，以鎳網(wǎng)為基底，生長得到一氧化鈷納米線陣列的前驅(qū)體，在退火得到一氧化鈷陣列的同時，通過化學氣相沉積技術，在一氧化鈷的表面生長了一層結晶性好的石墨碳層。反應中碳源氣體和氮氣的相應流量比為6:80，控制相應的通氣時間，即可得到最適宜應用于超級電容器的一氧化鈷/碳陣列材料。此法得到的碳結晶性質(zhì)好，電導率高，與一氧化鈷復合之后，得到的電極材料功率密度和能量密度性能優(yōu)異，其比容量最高可達到3282.2F/g，在循環(huán)了10000次以后，比容量仍保持了96.9%，具備良好的應用前景。