一種無(wú)鋁型II類(lèi)超晶格長(zhǎng)波雙勢(shì)壘紅外探測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610351898.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105789364A 公開(kāi)（公告）日 2018-07-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN105789364A 申請(qǐng)公布日 2018-07-06
分類(lèi)號(hào) H01L31/101;H01L31/11;H01L31/0352 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 周易;陳建新;王芳芳;徐志成 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 中科愛(ài)畢賽思（常州）光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海新天專(zhuān)利代理有限公司 代理人 郭英
地址 200083 上海市虹口區(qū)玉田路500號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種無(wú)鋁型II類(lèi)超晶格雙勢(shì)壘長(zhǎng)波紅外探測(cè)器，其具體結(jié)構(gòu)為GaSb襯底向上依次為超晶格長(zhǎng)波N型接觸層、超晶格空穴勢(shì)壘層、超晶格長(zhǎng)波吸收區(qū)、超晶格中波電子勢(shì)壘層和超晶格長(zhǎng)波P型接觸層，上電極TiPtAu位于超晶格長(zhǎng)波N型接觸層上，下電極TiPtAu位于超晶格長(zhǎng)波P型接觸層上。本發(fā)明公開(kāi)的結(jié)構(gòu)利用無(wú)鋁型雙勢(shì)壘的設(shè)計(jì)和引入獲得暗電流小、探測(cè)率高，信噪比大的長(zhǎng)波超晶格紅外探測(cè)器。