一種無(wú)鋁型II類超晶格長(zhǎng)波雙勢(shì)壘紅外探測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610351898.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105789364B 公開（公告）日 2018-07-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN105789364B 申請(qǐng)公布日 2018-07-06
分類號(hào) H01L31/101;H01L31/11;H01L31/0352 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周易;陳建新;王芳芳;徐志成 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中科愛畢賽思（常州）光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海新天專利代理有限公司 代理人 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
地址 213000 江蘇省常州市新北區(qū)華山中路23號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種無(wú)鋁型II類超晶格雙勢(shì)壘長(zhǎng)波紅外探測(cè)器，其具體結(jié)構(gòu)為GaSb襯底向上依次為超晶格長(zhǎng)波N型接觸層、超晶格空穴勢(shì)壘層、超晶格長(zhǎng)波吸收區(qū)、超晶格中波電子勢(shì)壘層和超晶格長(zhǎng)波P型接觸層，上電極TiPtAu位于超晶格長(zhǎng)波N型接觸層上，下電極TiPtAu位于超晶格長(zhǎng)波P型接觸層上。本發(fā)明公開的結(jié)構(gòu)利用無(wú)鋁型雙勢(shì)壘的設(shè)計(jì)和引入獲得暗電流小、探測(cè)率高，信噪比大的長(zhǎng)波超晶格紅外探測(cè)器。