基于砷閥開關(guān)的II類超晶格結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310470180.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103500765B 公開（公告）日 2016-01-13
申請公布號 CN103500765B 申請公布日 2016-01-13
分類號 H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳建新;王芳芳;徐志成;周易;徐慶慶 申請（專利權(quán)）人 中科愛畢賽思（常州）光電科技有限公司
代理機構(gòu) 上海新天專利代理有限公司 代理人 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
地址 213000 江蘇省常州市新北區(qū)華山中路23號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于砷閥開關(guān)的II類超晶格結(jié)構(gòu)及制備方法。與傳統(tǒng)的II類超晶格結(jié)構(gòu)相比，原有的二元化合物GaSb和InSb均分別由GaAsSb和InAsSb三元化合物替代。其制備方法是在整個II類超晶格生長過程中，As閥一直處于打開狀態(tài)，閥位大小與生長InAs層時相同，使得在生長GaSb層和InSb界面層時由于部分As的流出而形成了GaAsSb和InAsSb三元化合物。其特點在于：由于各層中都有共同元素As存在，使得各層的生長溫度趨于一致，并使得界面處的互擴散減少。此外，As原子表面活性劑作用，增加了Sb原子的遷移率，降低了Sb團簇的形成幾率，減少了材料本身的缺陷，提高了材料性能。