一種基于銻快門開關(guān)的無失配II類超晶格結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010126548.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111223948A 公開（公告）日 2020-06-02
申請公布號 CN111223948A 申請公布日 2020-06-02
分類號 H01L31/0352(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐志成;朱藝紅;梁釗銘;陳凱豪;陳建新 申請（專利權(quán)）人 中科愛畢賽思（常州）光電科技有限公司
代理機構(gòu) 上海滬慧律師事務(wù)所 代理人 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
地址 213000 江蘇省常州市新北區(qū)華山中路23號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于銻快門開關(guān)的無失配II類超晶格結(jié)構(gòu)及制備方法。其單周期結(jié)構(gòu)包括GaSb層，InAs層和InAsSb界面層三層結(jié)構(gòu)。其制備方法是在II類超晶格周期性結(jié)構(gòu)生長過程中，GaSb生長后直接生長InAs層，InAs生長后，打開Sb快門，使得Sb和InAs層中的As進行元素置換，從而形成InAsSb界面層。其特點在于：由于取消了InSb界面層的直接生長，僅在InAs生長后通過引入Sb浸潤形成InAsSb界面層，既滿足了應(yīng)力補償?shù)男枨?，又簡化了界面制備工藝難度，此外，避免了大失配InSb界面直接生長時引入的島裝結(jié)構(gòu)缺陷，提高了材料性能。??