一種納升光電離質(zhì)譜離子源裝置及其操作方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210265956.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN114695069A | 公開(公告)日 | 2022-07-01 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN114695069A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
分類號(hào) | H01J49/16(2006.01)I;H01J49/26(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 譚思源;龔曉云;尹欣馳;李暢;李康銘;高曉梅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京維正專利代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 100020北京市朝陽(yáng)區(qū)北三環(huán)東路18號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請(qǐng)涉及納升光電離質(zhì)譜離子源裝置及其操作方法,納升光電離質(zhì)譜離子源裝置包括納噴霧噴針:用于裝載樣品溶液,實(shí)現(xiàn)納噴霧過(guò)程;金屬電極:插入納噴霧噴針內(nèi),與樣品溶液接觸,向樣品溶液提供高壓電場(chǎng);紫光燈:用于發(fā)射高能量紫外光子,與樣品溶液霧化的氣相分子結(jié)合,實(shí)現(xiàn)光離子化過(guò)程。本申請(qǐng)針對(duì)單細(xì)胞質(zhì)譜分析過(guò)程中小體積痕量弱極性化合物的離子化效率低、靈敏度差、雜質(zhì)干擾多等問題,結(jié)合Nano?ESI與APPI的優(yōu)勢(shì),設(shè)計(jì)了適用于小體積弱極性化合物多環(huán)芳烴分析的納升光電離質(zhì)譜離子源設(shè)備。通過(guò)優(yōu)化各類參數(shù),完成對(duì)單一痕量弱極性化合物的高效電離檢測(cè)、對(duì)混合組分中弱極性化合物的高靈敏分析以及對(duì)單細(xì)胞樣品中弱極性化合物的選擇性離子化檢測(cè)。 |
