太赫茲全硅離軸超透鏡及其設(shè)計(jì)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111436725.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114280770A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-04-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114280770A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-04-05 |
| 分類(lèi)號(hào) | G02B27/00（2006.01）I;G02B3/00（2006.01）I;G02B1/118（2015.01）I | 分類(lèi) | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 王曉東;馬維一;崔慧源;汪澤文 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海微波技術(shù)研究所（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十研究所） |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海段和段律師事務(wù)所 | 代理人 | 祁春倪 |
| 地址 | 200063上海市普陀區(qū)武寧路423號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種太赫茲全硅離軸超透鏡及其設(shè)計(jì)方法，涉及光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，設(shè)計(jì)方法包括：步驟S1，計(jì)算豎直偏振太赫茲光束入射時(shí)，不同尺寸硅圓柱的透射振幅和相移；步驟S2，選出多個(gè)不同尺寸且高透射振幅的硅圓柱，選出的硅圓柱的相移能夠覆蓋?180°到180°；步驟S3，將選出的不同尺寸的硅圓柱，根據(jù)離軸超透鏡對(duì)應(yīng)的相位調(diào)制函數(shù)，排布在硅基底上；步驟S4，在硅基底的另一側(cè)設(shè)計(jì)減反射的硅圓柱陣列，其中的硅圓柱尺寸相同；由硅基底及其兩側(cè)的硅圓柱陣列組成太赫茲全硅離軸超透鏡。本發(fā)明設(shè)計(jì)出的全硅超透鏡能夠?qū)崿F(xiàn)將入射的太赫茲光束在離軸方向上進(jìn)行聚焦，克服現(xiàn)有離軸超透鏡存在的加工復(fù)雜的問(wèn)題，填補(bǔ)太赫茲波段全硅離軸超透鏡研究的空白。 |
