堿性蝕刻液循環(huán)再生系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920322054.8 申請日 -
公開（公告）號 CN209873109U 公開（公告）日 2019-12-31
申請公布號 CN209873109U 申請公布日 2019-12-31
分類號 C23F1/46（2006.01）; C25C1/12（2006.01）; C25C7/00（2006.01）; C25C7/06（2006.01） 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 楊偉洋 申請（專利權）人 深圳市偉綠達科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)沙井街道新二莊村新全工業(yè)園第二棟一樓8號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了堿性蝕刻液循環(huán)再生系統(tǒng)，包括蝕刻缸、廢液槽、電解槽一、調節(jié)筒、電解槽二、再生液儲存槽和升溫槽，蝕刻缸的一端通過管道與廢液槽的一端連接，廢液槽的另一端通過管道與電解槽一的一端連接，電解槽一的另一端通過管道與調節(jié)筒的進料管連接，所述調節(jié)筒的出料管通過管道與電解槽二的一端連接，電解槽二的另一端通過管道與再生液儲存槽的一端連接，所述再生液儲存槽的另一端通過管道與升溫槽的一端連接，所述升溫槽的另一端通過管道與蝕刻缸的另一端連接。本實用新型通過設置廢液槽、電解槽一、調節(jié)筒、電解槽二、再生液儲存槽和升溫槽，解決了傳統(tǒng)的堿性蝕刻液循環(huán)再生系統(tǒng)利用率低，再生液體不夠純凈的問題。