用于高通量焦磷酸測序芯片微反應(yīng)池陣列的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010436352.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111562721A 公開（公告）日 2020-08-21
申請公布號 CN111562721A 申請公布日 2020-08-21
分類號 G03F7/16(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 王云翔;李瑾;冒薇;王豐梅 申請（專利權(quán)）人 蘇州研材微納科技有限公司
代理機構(gòu) 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 韓鳳
地址 215121江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)11幢401室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種用于高通量焦磷酸測序芯片微反應(yīng)池陣列的制備方法，其包括如下步驟：步驟1、對光纖面板進行所需的清洗；步驟2、得到SU8光刻膠膜；步驟3、對上述光纖面板以及SU8光刻膠膜進行熱烘，步驟4、對上述SU8光刻膠膜進行曝光；步驟5、對上述光纖面板以及圖形化光刻膠膜再次熱烘，并在熱烘后置于氮氣環(huán)境中冷卻至室溫；步驟6、對上述圖形化光刻膠膜進行顯影，以在光纖面板上得到所需的微反應(yīng)池陣列。本發(fā)明能有效制備得到微反應(yīng)池，與現(xiàn)有工藝兼容，安全可靠。??