一種具有高散熱性的半導體器件制備方法及半導體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110513855.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113257675B 公開（公告）日 2022-02-01
申請公布號 CN113257675B 申請公布日 2022-02-01
分類號 H01L21/335（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 華斌 申請（專利權(quán)）人 智程半導體設(shè)備科技（昆山）有限公司
代理機構(gòu) 蘇州企航知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 朱丹
地址 215300江蘇省蘇州市昆山市玉山鎮(zhèn)玉楊路299號3號房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種具有高散熱性的半導體器件制備方法，包括以下步驟：S1:制備襯底：在Si襯底表面均勻旋涂金剛石納米晶粒的旋涂液并烘干，并沉積多晶金剛石薄膜；S2：制備掩膜：在所述多晶金剛石薄膜上沉積SiO2層，通過光刻和刻蝕工藝，在SiO2層上形成周期性圖形化的SiO2孔洞；半導體結(jié)構(gòu)包括襯底，所述襯底上排列設(shè)置有若干錐形金剛石結(jié)構(gòu)，所述金剛石結(jié)構(gòu)之間設(shè)有AlN成核層，所述AlN成核層上設(shè)有GaN緩沖層，且所述GaN緩沖層填充于所述金剛石結(jié)構(gòu)之間且在所述金剛石頂部形成平面，本半導體器件在GaN之間埋入了超高導熱性能的金剛石材料，使得制備GaN外延結(jié)構(gòu)具有良好的導熱能力，為后續(xù)基于GaN微波大功率器件的實現(xiàn)奠定基礎(chǔ)。