一種新型晶硅SiON雙面電池背鈍化工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011100277.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112382696B 公開（公告）日 2022-05-10
申請公布號 CN112382696B 申請公布日 2022-05-10
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;C23C16/30（2006.01）I;C23C16/515（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊飛飛;張波;魯貴林;趙科巍;郭衛(wèi);張?jiān)迄i;李雪方;郭麗;杜澤霖;李陳陽;呂愛武 申請（專利權(quán)）人 山西潞安太陽能科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 太原市科瑞達(dá)專利代理有限公司 代理人 -
地址 046000山西省長治市郊區(qū)漳澤新型工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及太陽能電池生產(chǎn)領(lǐng)域，特別涉及雙面太陽能電池生產(chǎn)領(lǐng)域。一種新型晶硅SiON雙面電池背鈍化工藝，在背面晶硅基體上直接制備氮氧化硅層，然后在進(jìn)行退火，最后再制備氮化硅層；氮氧化硅層為單層膜，采用PECVD的方式沉積，工藝參數(shù)為，壓力1500?2000mTorr，溫度450?500℃，功率為8500?12000W,脈沖開關(guān)比為1:10至1:16，所通SiH4/NH3/N2O=1.65/1/4至2.5/1/5,且三種氣體SiH4、NH3、N2O總流量需大于7000sccm，時(shí)間40?60s。本發(fā)明不僅有效降低了雙面電池的背面鈍化制造成本，同時(shí)創(chuàng)造性的解決鈍化SiON膜層變薄后鈍化效果變差的問題。