一種局部互聯(lián)晶硅電池結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210286237.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114765230A 公開（公告）日 2022-07-19
申請公布號 CN114765230A 申請公布日 2022-07-19
分類號 H01L31/05（2014.01）I;H01L31/18（2006.01）I;B23K26/362（2014.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊飛飛;張波;趙科巍;李雪方;郭麗 申請（專利權(quán)）人 山西潞安太陽能科技有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 太原市科瑞達專利代理有限公司 代理人 -
地址 046000山西省長治市高新區(qū)漳澤新型工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及硅太陽能電池領(lǐng)域。一種局部互聯(lián)晶硅電池結(jié)構(gòu)，包括從下而上的背面金屬化圖案、激光燒蝕穿透結(jié)構(gòu)、正面金屬化圖案，背面金屬化圖案和正面金屬化圖案都被分割成同等數(shù)量且對應(yīng)的獨立區(qū)塊金屬化圖案，任意一個背面獨立區(qū)塊圖案與該背面獨立區(qū)塊圖案相鄰的一個背面獨立區(qū)塊圖案對應(yīng)的正面獨立區(qū)塊圖案通過激光燒蝕穿透結(jié)構(gòu)連接構(gòu)成互聯(lián)區(qū)塊，多個互聯(lián)區(qū)塊通過互聯(lián)圖案構(gòu)成兩個獨立區(qū)塊金屬化圖案數(shù)量相同的串聯(lián)的圖案作為晶硅電池的正負極輸出。