一種P型晶硅雙面電池退火增強背鈍化方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210286211.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114765234A 公開（公告）日 2022-07-19
申請公布號 CN114765234A 申請公布日 2022-07-19
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;C23C16/30（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/42（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊飛飛;張波;魯貴林;趙科巍;呂愛武;張云鵬;申開愉 申請（專利權）人 山西潞安太陽能科技有限責任公司
代理機構 太原市科瑞達專利代理有限公司 代理人 -
地址 046000山西省長治市高新區(qū)漳澤新型工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及P型晶硅雙面太陽能電池背鈍化領域。一種P型晶硅雙面電池退火增強背鈍化方法，按如下步驟進行步驟一、第一次SiON膜層沉積+第一次退火，步驟二、第二次SiON膜層沉積+第二次退火，步驟三、第二次SiON膜層沉積+第三次退火，步驟四、SiN膜層沉積構，SiN膜層采用三層沉積，步驟五、第四次退火。本發(fā)明將SiON膜層進行合理的拆分，并與退火工藝拼接，可減少SiON膜層過厚時內部缺陷。