一種P型晶硅雙面電池退火增強(qiáng)背鈍化方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210286211.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114765234A 公開(kāi)（公告）日 2022-07-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN114765234A 申請(qǐng)公布日 2022-07-19
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;C23C16/30（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/42（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊飛飛;張波;魯貴林;趙科巍;呂愛(ài)武;張?jiān)迄i;申開(kāi)愉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山西潞安太陽(yáng)能科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 太原市科瑞達(dá)專利代理有限公司 代理人 -
地址 046000山西省長(zhǎng)治市高新區(qū)漳澤新型工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及P型晶硅雙面太陽(yáng)能電池背鈍化領(lǐng)域。一種P型晶硅雙面電池退火增強(qiáng)背鈍化方法，按如下步驟進(jìn)行步驟一、第一次SiON膜層沉積+第一次退火，步驟二、第二次SiON膜層沉積+第二次退火，步驟三、第二次SiON膜層沉積+第三次退火，步驟四、SiN膜層沉積構(gòu)，SiN膜層采用三層沉積，步驟五、第四次退火。本發(fā)明將SiON膜層進(jìn)行合理的拆分，并與退火工藝拼接，可減少SiON膜層過(guò)厚時(shí)內(nèi)部缺陷。