Flash存儲器的數(shù)據(jù)讀寫方法、系統(tǒng)以及介質(zhì)、設(shè)備
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202210283860.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114637469A | 公開(公告)日 | 2022-06-17 |
申請公布號 | CN114637469A | 申請公布日 | 2022-06-17 |
分類號 | G06F3/06(2006.01)I;G06F11/10(2006.01)I;G06F12/0877(2016.01)I | 分類 | 計算;推算;計數(shù); |
發(fā)明人 | 樊海軍 | 申請(專利權(quán))人 | 上海美仁半導(dǎo)體有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京勵誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 201615上海市松江區(qū)九亭鎮(zhèn)中心路1158號21幢1303室-1 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種Flash存儲器的數(shù)據(jù)讀寫方法、系統(tǒng)以及介質(zhì)、設(shè)備,方法包括:確定向Flash存儲器寫入數(shù)據(jù),獲取當前寫入片區(qū);檢測到當前寫入片區(qū)的存儲空間不滿足待寫入數(shù)據(jù)的存儲需求,根據(jù)當前寫入片區(qū)確定目標寫入片區(qū),并將當前寫入片區(qū)的狀態(tài)值從使用中調(diào)整為已滿;將待寫入數(shù)據(jù)寫入目標寫入片區(qū);檢測到需要擦除狀態(tài)值為已滿的片區(qū),擦除狀態(tài)值為已滿的片區(qū)中的數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)讀寫方法可大大減少Flash存儲器的擦除次數(shù),提高了Flash存儲器的使用壽命。 |
