智能功率模塊及控制設(shè)備
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210248076.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114531018A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-05-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114531018A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | H02M1/088（2006.01）I;H02P27/00（2006.01）I;H01L25/16（2006.01）I | 分類(lèi) | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 傅振宇 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海美仁半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 201600上海市松江區(qū)九亭鎮(zhèn)中心路1158號(hào)21幢1303室-1 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N智能功率模塊及控制設(shè)備，其中，智能功率模塊包括：MCU、至少一個(gè)HVIC和至少一個(gè)晶體管組件，MCU與所有的HVIC連接，每個(gè)HVIC與對(duì)應(yīng)的晶體管組件連接；其中，晶體管組件包括至少兩個(gè)晶體管，其中，晶體管為MOSFET或IGBT；HVIC包括LDO和二極管，且每個(gè)HVIC的上橋臂和下橋臂分別與對(duì)應(yīng)的晶體管組件中的其中一個(gè)晶體管連接；MCU用于對(duì)晶體管的連接方式進(jìn)行控制。由此，本申請(qǐng)?zhí)岢龅腎PM為將HVIC、晶體管組件和MCU進(jìn)行封裝的集成體，可選地，可以將LDO和二極管集成于HVIC內(nèi)，無(wú)需在外部增設(shè)其他器件，節(jié)省了硬件成本。此外，通過(guò)提供包括至少兩個(gè)晶體管的晶體管組件，使得能夠擴(kuò)寬可承受的電壓范圍，提高了本申請(qǐng)?zhí)岢龅腎PM對(duì)應(yīng)的電機(jī)的安全性和可靠性。 |
