一種感應(yīng)加熱金紅石單晶體生長爐及其制備金紅石方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510843576.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105369342B 公開（公告）日 2017-10-31
申請公布號 CN105369342B 申請公布日 2017-10-31
分類號 C30B11/00(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 唐堅(jiān);劉旭東;張瑞青;畢孝國;孫旭東;牛微;董穎男 申請（專利權(quán)）人 沈陽旭日晶體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 沈陽銘揚(yáng)聯(lián)創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 沈陽工程學(xué)院;沈陽旭日晶體科技有限公司
地址 110136 遼寧省沈陽市沈北新區(qū)蒲昌路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種感應(yīng)加熱金紅石單晶體生長爐及其制備金紅石方法，屬于單晶體生長領(lǐng)域。解決溫度分布難于精確控制，晶體生長界面以下軸向溫度梯度較大，晶體中易存在較大的應(yīng)力的問題，生長爐包括：分為上腔體與下腔體的爐殼，第一加熱裝置，包括導(dǎo)電陶瓷管置于上腔體內(nèi)作為加熱段，導(dǎo)電陶瓷管為進(jìn)料口與下腔體的進(jìn)料通道，導(dǎo)電陶瓷管外套設(shè)石英管，石英管外纏繞第一電磁感應(yīng)線圈；設(shè)置在下腔體內(nèi)生長室，第一加熱裝置下方設(shè)置為生長室的生長區(qū)；第二加熱裝置，包括設(shè)置晶體生長區(qū)的下方的生長室的保溫層內(nèi)的第二電磁感應(yīng)線圈形成保溫段。本發(fā)明可以做到溫度的變化更加精確，可以根據(jù)需要隨時調(diào)整晶體生長的溫度梯度。