鎂二次電池的修飾正極材料及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110071813.6 申請日 -
公開（公告）號 CN102136573A 公開（公告）日 2011-07-27
申請公布號 CN102136573A 申請公布日 2011-07-27
分類號 H01M4/48(2010.01)I;H01M4/04(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳曉梅;曾小勤;丁文江;李德江;李斐;張思 申請（專利權）人 深圳交大華源新興技術產業(yè)研究院有限公司
代理機構 上海交達專利事務所 代理人 毛翠瑩
地址 200240 上海市閔行區(qū)東川路800號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種鎂二次電池的修飾正極材料及其制備方法，該正極材料是經過雜多酸修飾的四價鉬酸鎂，按質量百分比，四價鉬酸鎂的含量為85％～99％，雜多酸的含量為1％～15％。本發(fā)明中的四價鉬酸鎂，其化學結構式為：Mg1+xMoO3，其中0＜x≤0.1，制備方法是采用鎂的化合物、鉬的化合物、活性炭為原料，氬氣為保護氣體，經高溫固相反應法制備得到四價鉬酸鎂粉末，然后用雜多酸進行修飾，得到一種鎂二次電池的正極材料。該正極材料具有良好的電化學充放電行為，與目前鎂二次電池較為理想的正極材料Mo3S4相比，其制備方法簡單易行、成本低、具有高比容量和優(yōu)良循環(huán)可逆性能，有顯著的實用價值和經濟效益。