發(fā)光半導體及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111323277.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113782658B 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN113782658B 申請公布日 2022-02-11
分類號 H01L33/44（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐曉麗;李惠蕓;劉芳;孫雷蒙;楊丹 申請（專利權(quán)）人 華引芯（武漢）科技有限公司
代理機構(gòu) 武漢江楚智匯知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄧寅杰
地址 436000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號武漢新能源研究院大樓G2棟2層2015-2019號（自貿(mào)區(qū)武漢片區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及了一種發(fā)光半導體及其制備方法，該發(fā)光半導體包括：襯底以及沿靠近襯底方向順序?qū)盈B于襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)、電流擴展層、電介質(zhì)層和反射層，其特征在于，電介質(zhì)層設(shè)有若干第一通孔以及圍設(shè)一周的凹槽，若干第一通孔和凹槽均貫穿電介質(zhì)層，凹槽沿封閉圖形的邊界周向延伸，凹槽將若干第一通孔圍設(shè)在封閉圖形的邊界內(nèi)，反射層的周緣落于凹槽內(nèi)。本發(fā)明可以利用凹槽防止金屬層在光刻膠周緣聚集，避免后續(xù)膜層覆蓋后出現(xiàn)斷裂；另外，凹槽能和第一通孔一樣起到導通作用，并且不影響絕緣層整體的厚度，能讓絕緣層保持最佳厚度，既不會影響亮度的提取，也不會影響電極導通。