接觸層的制作方法、半導(dǎo)體激光器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010574296.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111682400B 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN111682400B 申請公布日 2021-07-20
分類號 H01S5/042;H01S5/028 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程洋;王俊;李泉靈;譚少陽;潘華東;廖新勝 申請（專利權(quán)）人 蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張樂樂
地址 215163 江蘇省蘇州市高新區(qū)昆侖山路189號科技城工業(yè)坊-A區(qū)2號廠房-1-102、2號廠房-2-203
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種接觸層的制作方法、半導(dǎo)體激光器及其制作方法，接觸層的制作方法為先在所述半導(dǎo)體激光器的外延層上形成非摻雜半導(dǎo)體層，再對所述非摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜。采用此制作方法制作的接觸層包括摻雜區(qū)域和非摻雜區(qū)域，非摻雜區(qū)域電流無法注入，只有摻雜區(qū)域能夠注入電流，并且摻雜區(qū)域內(nèi)能夠注入電流面積沿腔長方向逐漸增大，以抵消諧振腔內(nèi)的光子密度分布不均導(dǎo)致的載流子密度和增益沿增反膜到減反膜方向不均勻分布的影響，使載流子在腔長方向均勻分布，提高半導(dǎo)體激光器的輸出功率和性能穩(wěn)定性。半導(dǎo)體激光器的電極直接在接觸層上制作，電極與接觸層之間無介質(zhì)薄膜，電極與接觸層粘附牢固、不易脫落。