一種半導(dǎo)體激光器外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110424174.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113140965A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN113140965A 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) H01S5/20（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王俊;王邦國(guó);譚少陽(yáng);周立;廖新勝;閔大勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李靜玉
地址 215000江蘇省蘇州市高新區(qū)昆侖山路189號(hào)科技城工業(yè)坊-A區(qū)2號(hào)廠房-1-102、2號(hào)廠房-2-203
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體激光器外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，該結(jié)構(gòu)包括：相對(duì)設(shè)置的第一波導(dǎo)層和第二波導(dǎo)層、以及位于第一波導(dǎo)層和第二波導(dǎo)層之間的有源層；第一波導(dǎo)層包括：相對(duì)設(shè)置的第一波導(dǎo)膜層和第二波導(dǎo)膜層；位于第一波導(dǎo)膜層和第二波導(dǎo)膜層之間的橫模調(diào)制層，第一橫模調(diào)制層的折射率分別小于第一波導(dǎo)膜層的折射率和第二波導(dǎo)膜層的折射率。通過(guò)實(shí)施本發(fā)明，在第一波導(dǎo)層中設(shè)置第一橫模調(diào)制層，第一橫模調(diào)制層的折射率小于兩側(cè)波導(dǎo)膜層的折射率，由此，設(shè)置的橫模調(diào)制層可以調(diào)制基膜及高階模式分布，使得高階模限制因子降低，抑制高階模式激射，從而解決現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體激光器件高階模易激射的問(wèn)題。