一種新型C?Mount單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201621064572.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN206135199U 公開（公告）日 2017-04-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN206135199U 申請(qǐng)公布日 2017-04-26
分類號(hào) H01S5/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王憲濤;王斌;王勇;趙梓涵;陳振杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長(zhǎng)春長(zhǎng)理光學(xué)精密機(jī)械有限公司
代理機(jī)構(gòu) 吉林長(zhǎng)春新紀(jì)元專利代理有限責(zé)任公司 代理人 王薇
地址 130022 吉林省長(zhǎng)春市朝陽區(qū)衛(wèi)星路7186號(hào)理工科技大廈B座10樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種新型C?Mount單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器，其特征在于：主體頂面兩側(cè)為凸起的左側(cè)凸臺(tái)和右側(cè)凸臺(tái)，左側(cè)凸臺(tái)與左側(cè)電極之間以及右側(cè)凸臺(tái)與右側(cè)電極之間均留有實(shí)現(xiàn)絕緣的縫隙，主體中間平面上焊接有陶瓷襯底，陶瓷襯底表面覆蓋金屬層，金屬層分為左側(cè)金屬層、中心金屬層和右側(cè)金屬層三部分，每部分的金屬層之間相互絕緣，中心金屬層的方框區(qū)域覆有一層金錫焊料，焊料區(qū)中心位置焊接有半導(dǎo)體芯片，左側(cè)電極與左側(cè)金屬層金絲鍵合，左側(cè)金屬層與金屬層金絲鍵合，本體中心位置的半導(dǎo)體芯片上表面與右側(cè)金屬層金絲鍵合，右側(cè)電極與右側(cè)金屬層金絲鍵合。其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于制造，性能穩(wěn)定可靠，能滿足對(duì)C?Mount封裝半導(dǎo)體激光器的不同功用的需求。