一種新型C?Mount單發(fā)射腔半導體激光器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610833435.3 申請日 -
公開（公告）號 CN106207742A 公開（公告）日 2016-12-07
申請公布號 CN106207742A 申請公布日 2016-12-07
分類號 H01S5/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王憲濤;王斌;王勇;趙梓涵;陳振杰 申請（專利權）人 長春長理光學精密機械有限公司
代理機構 吉林長春新紀元專利代理有限責任公司 代理人 王薇
地址 130022 吉林省長春市朝陽區(qū)衛(wèi)星路7186號理工科技大廈B座10樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種新型C?Mount單發(fā)射腔半導體激光器，其特征在于：主體頂面兩側(cè)為凸起的左側(cè)凸臺和右側(cè)凸臺，左側(cè)凸臺與左側(cè)電極之間以及右側(cè)凸臺與右側(cè)電極之間均留有實現(xiàn)絕緣的縫隙，主體中間平面上焊接有陶瓷襯底，陶瓷襯底表面覆蓋金屬層，金屬層分為左側(cè)金屬層、中心金屬層和右側(cè)金屬層三部分，每部分的金屬層之間相互絕緣，中心金屬層的方框區(qū)域覆有一層金錫焊料，焊料區(qū)中心位置焊接有半導體芯片，左側(cè)電極與左側(cè)金屬層金絲鍵合，左側(cè)金屬層與金屬層金絲鍵合，本體中心位置的半導體芯片上表面與右側(cè)金屬層金絲鍵合，右側(cè)電極與右側(cè)金屬層金絲鍵合。其結構簡單，易于制造，性能穩(wěn)定可靠，能滿足對C?Mount封裝半導體激光器的不同功用的需求。