一種高純電子級(jí)二碘硅烷的制備裝置及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111017549.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113548669A 公開（公告）日 2021-10-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN113548669A 申請(qǐng)公布日 2021-10-26
分類號(hào) C01B33/107（2006.01）I 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 馬建修;靖宇;杜文東 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 福建福豆新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州瞪羚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張宇
地址 354000福建省南平市邵武市金塘工業(yè)園區(qū)七牧平臺(tái)M3
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種高純電子級(jí)二碘硅烷的制備裝置及其制備方法，涉及二碘硅烷提純技術(shù)領(lǐng)域。上述制備裝置包括第一反應(yīng)器、第二反應(yīng)器和減壓精餾純化器。第一反應(yīng)器分為流化床段、油相段和碘化氫段。油相段和碘化氫段的下端連接至第二反應(yīng)器。高純電子級(jí)二碘硅烷的制備方法包括以下步驟：氮?dú)庵脫Q；采用苯硅烷、含氧化合物催化劑和芳香族有機(jī)溶劑引發(fā)反應(yīng)，生成苯硅烷層、一碘苯硅烷層和碘化氫層；持續(xù)通入苯硅烷，調(diào)節(jié)出料口和苯硅烷的流量，控制一碘苯硅烷層和碘化氫層的界面在油相段和碘化氫段的界面上；減壓精餾。本發(fā)明的制備裝置及其制備方法，通過隔斷苯硅烷和HI的接觸減少了副反應(yīng)發(fā)生，提高了產(chǎn)物的純度和原料轉(zhuǎn)化率。