一種高純電子級(jí)二碘硅烷的制備裝置及其制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111017549.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113548669A | 公開(公告)日 | 2021-10-26 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113548669A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-26 |
分類號(hào) | C01B33/107(2006.01)I | 分類 | 無(wú)機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 馬建修;靖宇;杜文東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 福建福豆新材料有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 蘇州瞪羚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 張宇 |
地址 | 354000福建省南平市邵武市金塘工業(yè)園區(qū)七牧平臺(tái)M3 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提出一種高純電子級(jí)二碘硅烷的制備裝置及其制備方法,涉及二碘硅烷提純技術(shù)領(lǐng)域。上述制備裝置包括第一反應(yīng)器、第二反應(yīng)器和減壓精餾純化器。第一反應(yīng)器分為流化床段、油相段和碘化氫段。油相段和碘化氫段的下端連接至第二反應(yīng)器。高純電子級(jí)二碘硅烷的制備方法包括以下步驟:氮?dú)庵脫Q;采用苯硅烷、含氧化合物催化劑和芳香族有機(jī)溶劑引發(fā)反應(yīng),生成苯硅烷層、一碘苯硅烷層和碘化氫層;持續(xù)通入苯硅烷,調(diào)節(jié)出料口和苯硅烷的流量,控制一碘苯硅烷層和碘化氫層的界面在油相段和碘化氫段的界面上;減壓精餾。本發(fā)明的制備裝置及其制備方法,通過隔斷苯硅烷和HI的接觸減少了副反應(yīng)發(fā)生,提高了產(chǎn)物的純度和原料轉(zhuǎn)化率。 |
