一種基于硅基的LED芯片封裝方法及LED芯片發(fā)光器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210113628.3 申請日 -
公開（公告）號 CN102623619B 公開（公告）日 2014-11-12
申請公布號 CN102623619B 申請公布日 2014-11-12
分類號 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李抒智;馬可軍 申請（專利權(quán)）人 上海半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心
代理機構(gòu) 上海三和萬國知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 蔡海淳
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)祖沖之路887弄78號5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種基于硅基的LED芯片封裝方法及LED芯片發(fā)光器件，屬半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。其在IC芯片封裝生產(chǎn)線上對LED芯片進(jìn)行封裝：利用硅片作承載體，采用“鍵合”方式將LED芯片直接固定在硅片上；用液態(tài)玻璃在硅片表面及各個LED芯片之間形成絕緣層；對硅片置有LED芯片的一面進(jìn)行拋光；采用“鍍膜”法在固化后的玻璃以及LED芯片的表面制備連接電極；對硅片進(jìn)行切割，得到LED發(fā)光器件或LED發(fā)光器件模塊產(chǎn)品。其降低了LED封裝成本，為現(xiàn)有集成電路IC芯片封裝生產(chǎn)線的應(yīng)用和使用擴展了一個全新的領(lǐng)域，特別適于大功率LED發(fā)光器件的生產(chǎn)，在相同外部環(huán)境條件或電源功率的情況下可輸出更大的光功率?？蓮V泛用于LED發(fā)光器件的生產(chǎn)/制造領(lǐng)域。