一種基于硅基的LED芯片封裝方法及LED芯片發(fā)光器件
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201210113628.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN102623619B | 公開(公告)日 | 2014-11-12 |
申請公布號 | CN102623619B | 申請公布日 | 2014-11-12 |
分類號 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李抒智;馬可軍 | 申請(專利權)人 | 上海半導體照明工程技術研究中心 |
代理機構 | 上海三和萬國知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 蔡海淳 |
地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)祖沖之路887弄78號5樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種基于硅基的LED芯片封裝方法及LED芯片發(fā)光器件,屬半導體器件領域。其在IC芯片封裝生產線上對LED芯片進行封裝:利用硅片作承載體,采用“鍵合”方式將LED芯片直接固定在硅片上;用液態(tài)玻璃在硅片表面及各個LED芯片之間形成絕緣層;對硅片置有LED芯片的一面進行拋光;采用“鍍膜”法在固化后的玻璃以及LED芯片的表面制備連接電極;對硅片進行切割,得到LED發(fā)光器件或LED發(fā)光器件模塊產品。其降低了LED封裝成本,為現(xiàn)有集成電路IC芯片封裝生產線的應用和使用擴展了一個全新的領域,特別適于大功率LED發(fā)光器件的生產,在相同外部環(huán)境條件或電源功率的情況下可輸出更大的光功率??蓮V泛用于LED發(fā)光器件的生產/制造領域。 |
