LED側(cè)面鈍化層質(zhì)量的測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201210054565.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN102569122B | 公開(kāi)（公告）日 | 2014-12-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN102569122B | 申請(qǐng)公布日 | 2014-12-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/66(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 戴煒?shù)h;李越生;周穎圓;李抒智;馬可軍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 盧剛 |
| 地址 | 200433 上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種LED側(cè)面鈍化層質(zhì)量的測(cè)試結(jié)構(gòu)，通過(guò)在LED芯片的側(cè)面及襯底的背面上制備G電極，從而可對(duì)LED芯片的側(cè)面鈍化層的等效電阻進(jìn)行測(cè)量，并進(jìn)一步對(duì)LED芯片的側(cè)面鈍化層的質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)；同時(shí)，還公開(kāi)了一種LED側(cè)面鈍化層質(zhì)量的測(cè)試方法，通過(guò)測(cè)量LED芯片P區(qū)鈍化層的等效電阻及N區(qū)鈍化層的等效電阻，并分別與一標(biāo)準(zhǔn)LED芯片樣品的P區(qū)鈍化層的等效電阻及N區(qū)鈍化層的等效電阻進(jìn)行比較，從而可對(duì)LED芯片的側(cè)面鈍化層的質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)；該方法簡(jiǎn)單方便，并且成本較低。 |
