LED側(cè)面鈍化層質(zhì)量的測試結(jié)構(gòu)及測試方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201210054565.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN102569122B | 公開(公告)日 | 2014-12-24 |
申請公布號 | CN102569122B | 申請公布日 | 2014-12-24 |
分類號 | H01L21/66(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 戴煒鋒;李越生;周穎圓;李抒智;馬可軍 | 申請(專利權(quán))人 | 上海半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心 |
代理機構(gòu) | 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 盧剛 |
地址 | 200433 上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種LED側(cè)面鈍化層質(zhì)量的測試結(jié)構(gòu),通過在LED芯片的側(cè)面及襯底的背面上制備G電極,從而可對LED芯片的側(cè)面鈍化層的等效電阻進行測量,并進一步對LED芯片的側(cè)面鈍化層的質(zhì)量進行檢測;同時,還公開了一種LED側(cè)面鈍化層質(zhì)量的測試方法,通過測量LED芯片P區(qū)鈍化層的等效電阻及N區(qū)鈍化層的等效電阻,并分別與一標(biāo)準(zhǔn)LED芯片樣品的P區(qū)鈍化層的等效電阻及N區(qū)鈍化層的等效電阻進行比較,從而可對LED芯片的側(cè)面鈍化層的質(zhì)量進行檢測;該方法簡單方便,并且成本較低。 |
