LED側(cè)面鈍化層質(zhì)量的測試結(jié)構(gòu)及測試方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210054565.9 申請日 -
公開（公告）號 CN102569122B 公開（公告）日 2014-12-24
申請公布號 CN102569122B 申請公布日 2014-12-24
分類號 H01L21/66(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 戴煒鋒;李越生;周穎圓;李抒智;馬可軍 申請（專利權(quán)）人 上海半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心
代理機構(gòu) 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧剛
地址 200433 上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種LED側(cè)面鈍化層質(zhì)量的測試結(jié)構(gòu)，通過在LED芯片的側(cè)面及襯底的背面上制備G電極，從而可對LED芯片的側(cè)面鈍化層的等效電阻進行測量，并進一步對LED芯片的側(cè)面鈍化層的質(zhì)量進行檢測；同時，還公開了一種LED側(cè)面鈍化層質(zhì)量的測試方法，通過測量LED芯片P區(qū)鈍化層的等效電阻及N區(qū)鈍化層的等效電阻，并分別與一標(biāo)準(zhǔn)LED芯片樣品的P區(qū)鈍化層的等效電阻及N區(qū)鈍化層的等效電阻進行比較，從而可對LED芯片的側(cè)面鈍化層的質(zhì)量進行檢測；該方法簡單方便，并且成本較低。