超低壓低功耗永久性OTP存儲器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910881739.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110827909A 公開（公告）日 2020-02-21
申請公布號 CN110827909A 申請公布日 2020-02-21
分類號 G11C17/16;G11C17/18 分類 信息存儲;
發(fā)明人 彭澤忠;毛軍華 申請（專利權）人 四川凱路威科技有限公司
代理機構 成都惠迪專利事務所（普通合伙） 代理人 四川凱路威科技有限公司
地址 621000 四川省綿陽市高新區(qū)綿興東路133號A412
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 超低壓低功耗永久性OTP存儲器，涉及存儲器技術。本發(fā)明包括一個選擇MOS管、一個檢測MOS管和電容，選擇MOS管的第一工作端和檢測MOS管的控制端連接于參考點，選擇MOS管的第二工作端和檢測MOS管的第二工作端皆與第一位線連接，檢測MOS管的第一工作端連接第二位線，作為反熔絲存儲核心的電容設置于參考點和第一字線之間，其特征在于，所述電容為本征MOS管的柵電容。本發(fā)明的有益效果是，無需電壓提升電路即可實現(xiàn)低至0.6V的讀取電壓，顯著的降低了功耗。