采用串聯(lián)高壓隔斷的高可靠一次性編程存儲(chǔ)器
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610319224.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN105957555A | 公開(公告)日 | 2016-09-21 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN105957555A | 申請(qǐng)公布日 | 2016-09-21 |
分類號(hào) | G11C17/16(2006.01)I;G11C17/18(2006.01)I | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
發(fā)明人 | 彭澤忠;毛軍華;廖旭陽 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 四川凱路威科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 成都惠迪專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 劉勛 |
地址 | 621000 四川省綿陽市高新區(qū)綿興東路128號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 采用串聯(lián)高壓隔斷的高可靠一次性編程存儲(chǔ)器,涉及集成電路技術(shù),本發(fā)明包括第一MOS管、第二MOS管、反熔絲元件,第一MOS管的柵端接第二連接線,其第一連接端接第二MOS管的柵端及限壓器件,第二連接端接第三連接線;第二MOS管的第一連接端接第四連接線,第二連接端接第三連接線;器柵端接限壓器件和第一MOS管的第二連接端,其特征在于,還包括一個(gè)限壓器件,其具有一個(gè)控制端和兩個(gè)連接端,其控制端連接一條控制信號(hào)線,其一個(gè)連接端通過反熔絲器件接第一連接線,另一個(gè)連接端連接第二MOS管的柵端。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)的高壓沖擊所引起的關(guān)鍵路徑的器件損壞、退化而難題,避免了可能導(dǎo)致的漏電隱患。 |
