硅芯制備方法和硅芯制備設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110259705.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113061988A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN113061988A 申請公布日 2021-07-02
分類號 C30B29/06（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I;C30B28/10（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 孫強(qiáng);張邦潔;尹杏;陳輝;萬燁;張曉偉 申請（專利權(quán)）人 洛陽中硅高科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 杜德海
地址 100038北京市海淀區(qū)復(fù)興路12號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種硅芯制備方法和硅芯制備設(shè)備，硅芯制備方法包括以下步驟：A）將硅芯原料棒和籽晶安裝在硅芯爐腔內(nèi)，關(guān)閉所述硅芯爐腔；B）對所述硅芯爐腔進(jìn)行持續(xù)地抽真空，使得所述硅芯爐腔內(nèi)的壓強(qiáng)小于標(biāo)準(zhǔn)大氣壓；和C）加熱所述硅芯原料棒產(chǎn)生熔區(qū)，利用所述籽晶拉制所述硅芯原料棒以便得到硅芯。因此，通過利用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的硅芯制備方法，從而可以有效地降低硅芯中的P元素的含量，有效地提高硅芯的電阻率。