一種低溫碳包覆多孔硅復合負極材料及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010166721.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111653735A 公開（公告）日 2020-09-11
申請公布號 CN111653735A 申請公布日 2020-09-11
分類號 H01M4/36(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙東輝;周鵬偉;白宇;李二威 申請（專利權(quán)）人 深圳市翔豐華科技股份有限公司
代理機構(gòu) 廈門市新華專利商標代理有限公司 代理人 深圳市翔豐華科技股份有限公司
地址 518000廣東省深圳市龍華新區(qū)龍華街道清祥路1號寶能科技園9棟C座20樓J單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種低溫碳包覆多孔硅復合負極材料及其制備方法，通過先將商用SiO2經(jīng)噴霧干燥得到微米級SiO2粉體，再經(jīng)鋁熱還原、酸洗、干燥得到多孔硅粉，最后以有機物為碳源在Si表面包覆碳層得到硅碳復合負極材料。該方法操作簡單、易于控制，成本可控，適合大規(guī)模生產(chǎn)。制得的電極具有高容量、高倍率和良好的循環(huán)性能，適用于鋰離子電池。??