一種大功率集成電路半導(dǎo)體或模塊的封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110816844.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113451153A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113451153A 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L21/50（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/42（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏乾華 申請（專利權(quán)）人 鑫金微半導(dǎo)體（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518125廣東省深圳市寶安區(qū)新橋新二東環(huán)路438號工業(yè)園綜合樓3樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種大功率集成電路半導(dǎo)體或模塊的封裝方法。通過提供中空灌注高比熱容物質(zhì)作為半導(dǎo)體集成電路或模塊封裝的金屬封裝外殼，進(jìn)而在其基礎(chǔ)上進(jìn)行封裝，此方法可以支持提高大功率集成電路模塊半導(dǎo)體或模塊成品的PD耗散功率,提高產(chǎn)品的可靠性。