一種大功率集成電路半導(dǎo)體或模塊的主動調(diào)溫封裝方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110816846.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113451154A | 公開(公告)日 | 2021-09-28 |
申請公布號 | CN113451154A | 申請公布日 | 2021-09-28 |
分類號 | H01L21/50(2006.01)I;H01L23/38(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 夏乾華 | 申請(專利權(quán))人 | 鑫金微半導(dǎo)體(深圳)有限公司 |
代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 518125廣東省深圳市寶安區(qū)新橋新二東環(huán)路438號工業(yè)園綜合樓3樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種大功率集成電路半導(dǎo)體或模塊的主動降溫設(shè)計封裝方法。通過大功率發(fā)熱量大的晶圓放置在含有高導(dǎo)熱性能的復(fù)合封裝外殼或框架上,該復(fù)合封裝外殼或框架含有半導(dǎo)體制冷片,此方法可以降低大功率半導(dǎo)體集成電路或模塊的工作溫度的,提高產(chǎn)品的可靠性。 |
