一種單晶爐加熱器底盤

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200820302772.0 申請日 -
公開（公告）號 CN201305649Y 公開（公告）日 2009-09-09
申請公布號 CN201305649Y 申請公布日 2009-09-09
分類號 C30B15/18(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 何紫平;胥敬東;丁宇翔 申請（專利權(quán)）人 湖州新元泰微電子有限公司
代理機構(gòu) 貴陽中新專利商標事務(wù)所 代理人 劉 楠;程新敏
地址 313009浙江省湖州市南潯區(qū)華僑投資區(qū)2號路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種單晶爐加熱器底盤。包括底盤(1)；底盤(1)上設(shè)有兩個電極孔(2)，兩個電極孔(2)的間距為450～470mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，現(xiàn)有的單晶爐加熱器底盤上的兩個電極孔距離較遠，一般為680mm左右，功耗較大。本實用新型將兩個電極孔的距離縮小為460mm左右，可有效降低單晶爐的能耗。改進后耗費功率可以降低大約10個千瓦。