一種半導(dǎo)體橋芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910400769.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110137090A 公開(kāi)（公告）日 2019-08-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN110137090A 申請(qǐng)公布日 2019-08-16
分類(lèi)號(hào) H01L21/48;H01L21/762 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張威;李宋 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京足智科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100086 北京市海淀區(qū)大鐘寺東路9號(hào)1幢B座1層119-84室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體橋芯片及其制備方法，其特征在于：在SOI基片的頂層單晶硅內(nèi)摻雜元素，改變其電學(xué)性質(zhì)，并涂覆光刻膠，刻蝕出橋區(qū)；去掉光刻膠，在SOI上表面濺射鋁，再次使用光刻法刻蝕出電極區(qū)域，并腐蝕掉未被光刻膠保護(hù)的鋁膜；去掉光刻膠，將半導(dǎo)體橋芯片在氮?dú)猸h(huán)境下退火處理。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體橋芯片，簡(jiǎn)化了工藝流程，不再限制于低壓力化學(xué)氣相沉積法加工多晶硅的工藝能力，大大提高了橋區(qū)的設(shè)計(jì)靈活性，可進(jìn)行各種厚度、尺寸、電阻值的半導(dǎo)體橋芯片的生產(chǎn)，增加橋區(qū)點(diǎn)火可靠性。