一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201220622498.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN203057079U | 公開(公告)日 | 2013-07-10 |
申請公布號 | CN203057079U | 申請公布日 | 2013-07-10 |
分類號 | H03F3/08(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 莫太山;唐思敏 | 申請(專利權(quán))人 | 嘉興泰鼎光電集成電路有限公司 |
代理機構(gòu) | 杭州浙科專利事務所(普通合伙) | 代理人 | 吳秉中;陶圣如 |
地址 | 314100 浙江省嘉興市嘉善縣晉陽東路568號科創(chuàng)中心四號樓4407室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種RF-CMOS工藝的光通信跨阻放大器的版圖結(jié)構(gòu),屬于光通信物理層集成電路領(lǐng)域,包括第一版圖區(qū)、第二版圖區(qū)、第三版圖區(qū)、第四版圖區(qū)、第五版圖區(qū)、第六版圖區(qū)、第七版圖區(qū)、第八版圖區(qū)、第九版圖區(qū)、第十版圖區(qū)、第十一版圖區(qū)、第十二版圖區(qū)、第十三版圖區(qū)、第十四版圖區(qū)、第十五版圖區(qū)、第十六版圖區(qū)、第十七版圖區(qū)和第十八版圖區(qū)。版圖主要分為上、中上、中、中下、下和四周六部分。本實用新型通過對芯片版圖的合理布局和各版圖區(qū)的合理設計,更好地實現(xiàn)了基于RF-CMOS工藝的寬帶光通信跨阻放大器的低噪聲、高帶寬等電路功能。 |
