一種拋光墊及半導(dǎo)體器件的制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111089592.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113524022B | 公開(公告)日 | 2022-01-07 |
申請公布號 | CN113524022B | 申請公布日 | 2022-01-07 |
分類號 | B24B37/22(2012.01)I;B24B37/24(2012.01)I;B24B37/26(2012.01)I;B24B37/005(2012.01)I;B24B49/00(2012.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 分類 | 磨削;拋光; |
發(fā)明人 | 黃學(xué)良;邱瑞英;楊佳佳;張季平;朱順全 | 申請(專利權(quán))人 | 湖北鼎龍控股股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 430057湖北省武漢市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東荊河路1號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的制造方法,該方法包括使用具有特定圖案的拋光墊對半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行研磨的工序;本發(fā)明還公開了一種拋光墊,所述拋光墊包括拋光層,拋光層包括拋光表面和位于拋光表面上的拋光單元,拋光單元的一端形成接觸表面,接觸表面與被研磨材料直接接觸;多個拋光單元分別組成第一部分和第二部分,第一部分沿第一個方向延伸并均勻間隔,第二部分沿與第一個方向平行的方向延伸并均勻間隔;并且,拋光層還具有凹坑,且包括第一部分凹坑和第二部分凹坑;本發(fā)明拋光墊限定拋光單元面積比,凹坑面積占比,體積比等參數(shù)在合適范圍時,具有優(yōu)異的綜合性能。 |
