一種拋光墊及半導(dǎo)體器件的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111089592.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113524022B 公開(kāi)（公告）日 2022-01-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113524022B 申請(qǐng)公布日 2022-01-07
分類號(hào) B24B37/22（2012.01）I;B24B37/24（2012.01）I;B24B37/26（2012.01）I;B24B37/005（2012.01）I;B24B49/00（2012.01）I;H01L21/3105（2006.01）I 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 黃學(xué)良;邱瑞英;楊佳佳;張季平;朱順全 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖北鼎龍控股股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 430057湖北省武漢市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)東荊河路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該方法包括使用具有特定圖案的拋光墊對(duì)半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行研磨的工序；本發(fā)明還公開(kāi)了一種拋光墊，所述拋光墊包括拋光層，拋光層包括拋光表面和位于拋光表面上的拋光單元，拋光單元的一端形成接觸表面，接觸表面與被研磨材料直接接觸；多個(gè)拋光單元分別組成第一部分和第二部分，第一部分沿第一個(gè)方向延伸并均勻間隔，第二部分沿與第一個(gè)方向平行的方向延伸并均勻間隔；并且，拋光層還具有凹坑，且包括第一部分凹坑和第二部分凹坑；本發(fā)明拋光墊限定拋光單元面積比，凹坑面積占比，體積比等參數(shù)在合適范圍時(shí)，具有優(yōu)異的綜合性能。