拋光墊、研磨設備及半導體器件的制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111103638.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113547450B | 公開(公告)日 | 2022-01-07 |
申請公布號 | CN113547450B | 申請公布日 | 2022-01-07 |
分類號 | B24B37/22(2012.01)I;B24B37/24(2012.01)I;B24B37/26(2012.01)I;B24B37/005(2012.01)I;B24B49/00(2012.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 分類 | 磨削;拋光; |
發(fā)明人 | 黃學良;王淑芹;王歡;楊佳佳;張季平;朱順全 | 申請(專利權)人 | 湖北鼎龍控股股份有限公司 |
代理機構 | - | 代理人 | - |
地址 | 430057湖北省武漢市經濟技術開發(fā)區(qū)東荊河路1號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了涉及半導體的化學機械拋光技術領域的拋光墊、研磨設備及半導體器件的制造方法。所述拋光墊具有拋光面,在拋光面上至少設置:一條以上的環(huán)形溝槽和一條以上的放射狀溝槽,所述環(huán)形溝槽與放射狀溝槽連通,所述環(huán)形溝槽兩兩不相交;沿拋光面中心向外周緣方向,環(huán)形溝槽的深度逐漸減小,放射狀溝槽的深度逐漸減小。利用本發(fā)明所提供拋光墊,拋光液利用率高、拋光速率高,且研磨速率不均一性??;同時能保證拋光過程產生的廢屑和廢液等的及時排出以及新拋光液的及時進入。 |
