拋光墊、研磨設(shè)備及半導(dǎo)體器件的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111103638.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113547450B 公開(kāi)（公告）日 2022-01-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113547450B 申請(qǐng)公布日 2022-01-07
分類(lèi)號(hào) B24B37/22（2012.01）I;B24B37/24（2012.01）I;B24B37/26（2012.01）I;B24B37/005（2012.01）I;B24B49/00（2012.01）I;H01L21/3105（2006.01）I 分類(lèi) 磨削；拋光;
發(fā)明人 黃學(xué)良;王淑芹;王歡;楊佳佳;張季平;朱順全 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 湖北鼎龍控股股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 430057湖北省武漢市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)東荊河路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了涉及半導(dǎo)體的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)領(lǐng)域的拋光墊、研磨設(shè)備及半導(dǎo)體器件的制造方法。所述拋光墊具有拋光面，在拋光面上至少設(shè)置：一條以上的環(huán)形溝槽和一條以上的放射狀溝槽，所述環(huán)形溝槽與放射狀溝槽連通，所述環(huán)形溝槽兩兩不相交；沿拋光面中心向外周緣方向，環(huán)形溝槽的深度逐漸減小，放射狀溝槽的深度逐漸減小。利用本發(fā)明所提供拋光墊，拋光液利用率高、拋光速率高，且研磨速率不均一性小；同時(shí)能保證拋光過(guò)程產(chǎn)生的廢屑和廢液等的及時(shí)排出以及新拋光液的及時(shí)進(jìn)入。