一種肖特基二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910708545.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110534583A 公開（公告）日 2019-12-03
申請公布號 CN110534583A 申請公布日 2019-12-03
分類號 H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任娜 申請（專利權(quán)）人 山東天岳電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京君慧知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王素花
地址 250118 山東省濟(jì)南市槐蔭區(qū)美里湖辦事處鄒莊南
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種肖特基二極管及其制備方法，用以解決PN結(jié)設(shè)置不合理的問題。肖特基二極管包括襯底、外延層以及金屬層。外延層形成于襯底上，為第一導(dǎo)電類型的區(qū)域；外延層背離襯底的一側(cè)設(shè)有若干第二導(dǎo)電類型的區(qū)域，第二導(dǎo)電類型的區(qū)域與第一導(dǎo)電類型的區(qū)域之間形成PN結(jié)；其中，第二導(dǎo)電類型的區(qū)域包括若干第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域沿外延層表面的寬度大于第二區(qū)域的寬度，每兩個相鄰的第一區(qū)域之間設(shè)有若干第二區(qū)域，第一區(qū)域按照第一預(yù)設(shè)間隔排布，第二區(qū)域按照第二預(yù)設(shè)間隔排布；金屬層形成于外延層背離襯底的一側(cè)，外延層的表面除第二導(dǎo)電類型的區(qū)域之外的區(qū)域，與金屬層形成肖特基結(jié)。