一種肖特基二極管及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910708669.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110571282A 公開（公告）日 2019-12-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN110571282A 申請(qǐng)公布日 2019-12-13
分類號(hào) H01L29/872（2006.01）; H01L29/06（2006.01）; H01L21/329（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任娜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山東天岳電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京君慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王素花
地址 250118 山東省濟(jì)南市槐蔭區(qū)美里湖辦事處鄒莊南
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種肖特基二極管及其制造方法，肖特基二極管包括：具有第一導(dǎo)電類型的外延層。在外延層上具有多個(gè)第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)域，第一導(dǎo)電類型與第二導(dǎo)電類型不同。多個(gè)第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)域包括：若干第一區(qū)域、以及以各第一區(qū)域?yàn)橹行木鶆驀@的預(yù)設(shè)數(shù)量的第二區(qū)域。其中，第一區(qū)域的寬度大于第二區(qū)域的寬度，第一區(qū)域的深度與第二區(qū)域的深度相同，第一區(qū)域、第二區(qū)域分別形成歐姆接觸區(qū)域的形狀相同。第一區(qū)域和第二區(qū)域分別與外延層形成肖特基二極管的PN結(jié)。通過上述技術(shù)方案，可以在盡量保持或不影響正常電流導(dǎo)通模式下肖特基二極管的正常導(dǎo)通性能的情況下，增強(qiáng)器件的抗浪涌電流能力。