一種混合PiN結(jié)肖特基二極管及制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910707755.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN110571281A | 公開（公告）日 | 2019-12-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110571281A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-12-13 |
| 分類號(hào) | H01L29/872（2006.01）; H01L29/868（2006.01）; H01L21/329（2006.01） | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 任娜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 山東天岳電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京君慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 王素花 |
| 地址 | 250118 山東省濟(jì)南市槐蔭區(qū)美里湖辦事處鄒莊南 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開了一種混合PiN結(jié)肖特基二極管及制造方法，混合PiN結(jié)肖特基二極管包括：等離子擴(kuò)散層和半導(dǎo)體區(qū)域；半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)置在外延層表面的下方；半導(dǎo)體區(qū)域包括：多個(gè)元胞，每一個(gè)元胞包括：一個(gè)第一區(qū)域和多個(gè)第二區(qū)域；等離子擴(kuò)散層設(shè)置在外延層表面的下方，且等離子擴(kuò)散層包括多個(gè)等離子擴(kuò)散通道，每一個(gè)等離子擴(kuò)散通道連通兩個(gè)元胞中的第一區(qū)域，并穿過元胞中各第二區(qū)域；第一區(qū)域、多個(gè)第二區(qū)域、等離子擴(kuò)散層與外延層構(gòu)成混合PiN結(jié)肖特基二極管的PN結(jié)。本申請(qǐng)能夠提高混合PiN結(jié)肖特基二極管的抗浪涌電流能力。 |
