一種半導(dǎo)體量子點(diǎn)器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120434495.4 申請日 -
公開（公告）號 CN214378456U 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN214378456U 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L29/66（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孔偉成;張輝;趙勇杰 申請（專利權(quán)）人 合肥本源量子計(jì)算科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 230088安徽省合肥市合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道2800號創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園二期E2樓六層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種半導(dǎo)體量子點(diǎn)器件，包括硅基底；位于所述硅基底上的二氧化硅層，所述二氧化硅層上形成有離子注入窗口，其中，所述離子注入窗口用于向所述硅基底注入離子；位于所述二氧化硅層上的第一絕緣層，所述第一絕緣層上形成有與所述注入離子歐姆接觸的歐姆電極；位于所述二氧化硅層上的量子點(diǎn)窗口，所述量子點(diǎn)窗口位于所述歐姆電極之間且裸漏出所述二氧化硅層；位于所述量子點(diǎn)窗口內(nèi)的第一金屬電極和磁體，其中，所述第一金屬電極層疊布置，所述第一金屬電極用于形成量子點(diǎn)，所述磁體用于對所述量子點(diǎn)進(jìn)行調(diào)控。通過在所述量子點(diǎn)窗口內(nèi)形成層疊的第一金屬電極，可以對第一金屬電極的尺寸和相對位置進(jìn)行調(diào)整，提高了量子點(diǎn)參數(shù)的可調(diào)性。