一種硅片熱氧化濕氧工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010923895.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN111986993A 公開(kāi)(公告)日 2020-11-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN111986993A 申請(qǐng)公布日 2020-11-24
分類(lèi)號(hào) H01L21/316(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 仝泉;周曉飛;田獻(xiàn)立;劉麗娟 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 麥斯克電子材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 洛陽(yáng)公信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 代理人 麥斯克電子材料有限公司
地址 471000河南省洛陽(yáng)市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)濱河北路99號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的一種硅片熱氧化濕氧工藝,包括構(gòu)建硅片熱氧化濕氧工藝過(guò)程高純水加注量確定的步驟和方法,具體包括在氧化爐爐管后部設(shè)置計(jì)量泵和氣體噴頭;通過(guò)計(jì)量泵將高純水注入氣體噴頭;氣體噴頭將注入的高純水霧化成水汽注入氧化爐爐管,水汽進(jìn)入氧化爐爐管后,分解成氫氣和氧氣,與硅片發(fā)生反應(yīng),在硅片表面形成氧化膜;通過(guò)調(diào)整計(jì)量泵注入氧化爐爐管內(nèi)純水的量控制硅片表面氧化膜的生長(zhǎng)厚度。本發(fā)明提高了硅片氧化濕氧工藝的安全可靠性,減少了濕氧過(guò)程引入污染的幾率,通過(guò)控制計(jì)量泵注入純水的流量和濕氧工藝時(shí)間,可精準(zhǔn)控制硅片氧化工藝氧化膜的生長(zhǎng)厚度。??