一種SOI鍵合工藝后襯底片的再生加工方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110460955.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113192823A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN113192823A 申請(qǐng)公布日 2021-07-30
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 熊誠(chéng)雷;趙文龍;李戰(zhàn)國(guó);胡曉亮;邵奇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 麥斯克電子材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 鄭州豫鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 軒文君
地址 471000河南省洛陽(yáng)市高新區(qū)濱河北路99號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于集成電路單晶硅拋光片回收加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種SOI鍵合工藝后襯底片的再生加工方法。該方法包括以下步驟：將回收的SOI襯底片進(jìn)行脫模和清洗?對(duì)襯底片進(jìn)行正面拋光?對(duì)襯底片進(jìn)行第一次清洗?對(duì)襯底硅片進(jìn)行平整度均勻性、厚度測(cè)試?對(duì)襯底片進(jìn)行第二次清洗。本發(fā)明的再生加工方法實(shí)現(xiàn)了對(duì)SOI鍵合工藝后襯底片的回收，使襯底片重新達(dá)到具有表面高質(zhì)量水平的襯底硅片，可以在SOI鍵合工藝中循環(huán)多次使用，實(shí)現(xiàn)加工成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于購(gòu)買新襯底硅片的價(jià)格。