一種硅片背面損傷層自動計數(shù)的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910655466.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110533149B 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN110533149B 申請公布日 2021-08-06
分類號 G06M11/00（2006.01）I;G06T7/00（2017.01）I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 仝泉;劉麗娟;田獻立;周曉飛 申請（專利權(quán)）人 麥斯克電子材料股份有限公司
代理機構(gòu) 洛陽公信知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅民健
地址 471000河南省洛陽市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)濱河北路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種硅片背面損傷層自動計數(shù)的方法，包括構(gòu)建硅片背損傷計數(shù)數(shù)據(jù)庫進行線性擬合的步驟和對硅片進行檢測和修正的步驟，具體包括在顯微鏡上加裝電荷耦合器件鏡頭；拍攝硅片背面損傷層圖片；圖像處理軟件對拍攝圖片的硅片背面損傷個數(shù)進行計數(shù)；將硅片背面損傷個數(shù)的圖像處理軟件計數(shù)與硅片背面損傷個數(shù)的圖像處理軟件人工精確計數(shù)進行關(guān)聯(lián)存儲；重復對多個硅片背面損傷層進行處理，建立硅片背損傷計數(shù)數(shù)據(jù)庫；利用線性擬合對的硅片背損傷計數(shù)數(shù)據(jù)庫進行處理，得到圖像處理軟件計數(shù)的回歸分析修正方程；對待測硅片背面損傷層進行拍攝、計數(shù)，并通過回歸分析修正方程對計數(shù)結(jié)果進行修正。本發(fā)明提高了硅片背面損傷層的計數(shù)效率。