埋層終端結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202121395102.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN215183975U 公開（公告）日 2021-12-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN215183975U 申請(qǐng)公布日 2021-12-14
分類號(hào) H01L29/40（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李偉聰;林泳浩;姜春亮;王雯沁 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 珠海市浩辰半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市嘉勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉自麗
地址 519000廣東省珠海市高新區(qū)唐家灣鎮(zhèn)軟件園路1號(hào)會(huì)展中心1#四層5單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開一種埋層終端結(jié)構(gòu)，包括N?型半導(dǎo)體漂移區(qū)，N?型半導(dǎo)體漂移區(qū)包括P型半導(dǎo)體場(chǎng)限環(huán)、P?型半導(dǎo)體埋層和N+型半導(dǎo)體場(chǎng)限環(huán)，P型半導(dǎo)體場(chǎng)限環(huán)的寬度大于或等于N型半導(dǎo)體場(chǎng)限環(huán)的寬度，P?型半導(dǎo)體埋層中的摻雜離子的濃度小于P型半導(dǎo)體場(chǎng)限環(huán)中的摻雜離子的濃度；絕緣介質(zhì)層，設(shè)于N?型半導(dǎo)體漂移區(qū)的上表面，分別與P型半導(dǎo)體場(chǎng)限環(huán)的部分上表面、P?型半導(dǎo)體埋層的部分上表面和N+型半導(dǎo)體場(chǎng)限環(huán)的部分上表面接觸，與P?型半導(dǎo)體埋層的接觸區(qū)設(shè)有接觸孔；第一場(chǎng)板，通過接觸孔與P?型半導(dǎo)體埋層接觸。本申請(qǐng)可以使埋層終端結(jié)構(gòu)在高溫下不容易擊穿，可靠性和穩(wěn)定性更好。