一種終端結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體器件及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110651512.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113299744A 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN113299744A 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L29/40 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李偉聰;林泳浩;姜春亮;王雯沁 申請（專利權(quán)）人 珠海市浩辰半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 深圳市嘉勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 帥進軍
地址 519000 廣東省珠海市高新區(qū)唐家灣鎮(zhèn)軟件園路1號會展中心1#四層5單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種終端結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體器件及制作方法，終端結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，漂移區(qū)設(shè)置有溝槽、第一導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)和第二導(dǎo)電類型的第一體區(qū)，溝槽包括第一深度區(qū)、第二深度區(qū)和第三深度區(qū)；第一深度區(qū)填充介電材料，介電材料中插入第一電極，第二深度區(qū)設(shè)置有第一多晶硅場板；第一多晶硅場板和第一電極連接第二電極，第三深度區(qū)設(shè)置有第二多晶硅場板，摻雜區(qū)和第二多晶硅場板上設(shè)置截止環(huán)。該終端結(jié)構(gòu)，第一多晶硅場板防止第一體區(qū)與漂移區(qū)形成的PN結(jié)被提前擊穿，第一電極防止第一深度區(qū)的底部角落處被提前擊穿，第二多晶硅場板防止擊穿發(fā)生在截止環(huán)。該結(jié)構(gòu)在提升終端結(jié)構(gòu)耐壓的同時，使終端結(jié)構(gòu)的面積減小。