一種浮空結構與溝槽分立的溝槽柵IGBT器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120354474.1 申請日 -
公開（公告）號 CN214152908U 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN214152908U 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王洪;林泳浩;李偉聰 申請（專利權）人 珠海市浩辰半導體有限公司
代理機構 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 彭西洋;袁曼曼
地址 519031廣東省珠海市橫琴新區(qū)寶華路6號105室-69243（集中辦公區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種浮空結構與溝槽分立的溝槽柵IGBT器件，包括：集電極金屬；第一導電類型的集電區(qū)，位于集電極金屬的上表面；第二導電類型的場截止層，位于第一導電類型的集電區(qū)的上表面；第二導電類型的漂移區(qū)，位于第二導電類型的場截止層的上表面；溝槽結構，位于第二導電類型的漂移區(qū)內；第一導電類型的浮空區(qū)，位于溝槽結構之間，且第一導電類型的浮空區(qū)與溝槽結構不相交疊；發(fā)射極金屬，覆蓋于整個器件的上方；所述第一導電類型的浮空區(qū)與發(fā)射極金屬之間設有隔離介質層。本實用新型提高了IGBT在開通過程中的dv/dt控制能力，降低了開關過程中的EMI干擾，同時可以兼顧提高IGBT的器件耐壓。