一種浮空結(jié)構(gòu)與溝槽分立的溝槽柵IGBT器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120354474.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214152908U 公開(kāi)（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN214152908U 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類號(hào) H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王洪;林泳浩;李偉聰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 珠海市浩辰半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 彭西洋;袁曼曼
地址 519031廣東省珠海市橫琴新區(qū)寶華路6號(hào)105室-69243（集中辦公區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)一種浮空結(jié)構(gòu)與溝槽分立的溝槽柵IGBT器件，包括：集電極金屬；第一導(dǎo)電類型的集電區(qū)，位于集電極金屬的上表面；第二導(dǎo)電類型的場(chǎng)截止層，位于第一導(dǎo)電類型的集電區(qū)的上表面；第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，位于第二導(dǎo)電類型的場(chǎng)截止層的上表面；溝槽結(jié)構(gòu)，位于第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)內(nèi)；第一導(dǎo)電類型的浮空區(qū)，位于溝槽結(jié)構(gòu)之間，且第一導(dǎo)電類型的浮空區(qū)與溝槽結(jié)構(gòu)不相交疊；發(fā)射極金屬，覆蓋于整個(gè)器件的上方；所述第一導(dǎo)電類型的浮空區(qū)與發(fā)射極金屬之間設(shè)有隔離介質(zhì)層。本實(shí)用新型提高了IGBT在開(kāi)通過(guò)程中的dv/dt控制能力，降低了開(kāi)關(guān)過(guò)程中的EMI干擾，同時(shí)可以兼顧提高IGBT的器件耐壓。