一種具有浮空結(jié)構(gòu)的溝槽柵IGBT器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120329605.0 申請日 -
公開（公告）號 CN214152907U 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN214152907U 申請公布日 2021-09-07
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王洪;林泳浩;李偉聰 申請（專利權(quán)）人 珠海市浩辰半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 代理人 彭西洋;袁曼曼
地址 519031廣東省珠海市橫琴新區(qū)寶華路6號105室-69243（集中辦公區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種具有浮空結(jié)構(gòu)的溝槽柵IGBT器件，包括集電極金屬；第一導(dǎo)電類型的集電區(qū)，位于集電極金屬上表面；第二導(dǎo)電類型的場截止層，位于第一導(dǎo)電類型的集電區(qū)上表面；第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，位于第二導(dǎo)電類型的場截止層上表面；溝槽結(jié)構(gòu)，位于第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)內(nèi)，溝槽結(jié)構(gòu)包括溝槽，以及寬部、窄部，寬部包括寬部電極；第一導(dǎo)電類型的浮空區(qū)，位于溝槽結(jié)構(gòu)之間；發(fā)射極金屬，覆蓋于整個(gè)器件的上方；第一導(dǎo)電類型的浮空區(qū)與發(fā)射極金屬之間經(jīng)第一介質(zhì)層隔離；寬部電極與發(fā)射極金屬等電位。本實(shí)用新型降低IGBT的米勒電容，減少開關(guān)時(shí)間，提高IGBT在開通過程中的dv/dt控制能力，降低開關(guān)過程EMI干擾，提高IGBT器件耐壓。