復(fù)合終端結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110695000.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113314599A 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN113314599A 申請公布日 2021-08-27
分類號 H01L29/40（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李偉聰;林泳浩;姜春亮;王雯沁 申請（專利權(quán)）人 珠海市浩辰半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 深圳市嘉勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉自麗
地址 519000廣東省珠海市高新區(qū)唐家灣鎮(zhèn)軟件園路1號會展中心1#四層5單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開一種復(fù)合終端結(jié)構(gòu)及其制備方法，該復(fù)合終端結(jié)構(gòu)包括N?型半導(dǎo)體漂移區(qū)，N?型半導(dǎo)體漂移區(qū)包括P型半導(dǎo)體場限環(huán)、P?型半導(dǎo)體VLD區(qū)和N+型半導(dǎo)體場限環(huán)，P?型半導(dǎo)體VLD區(qū)的一側(cè)面與P型半導(dǎo)體場限環(huán)的部分另一側(cè)面共面，N+型半導(dǎo)體場限環(huán)的另一側(cè)面與所述N?型半導(dǎo)體漂移區(qū)的另一側(cè)面齊平；P?型半導(dǎo)體VLD區(qū)中的摻雜離子的濃度小于P型半導(dǎo)體場限環(huán)中的摻雜離子的濃度；一個或間隔的多個第一場板，自P?型半導(dǎo)體VLD區(qū)的上表面向外延伸，第一場板覆蓋絕緣介質(zhì)層的部分上表面并填充接觸孔。相對于傳統(tǒng)VLD終端，本申請可實現(xiàn)在高溫下可靠性更好，不易受制造工藝線引入的表面固定電荷影響。