一種復合內(nèi)鈍化層雙溝槽結(jié)構(gòu)大功率整流器件應用芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811046979.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110890416A 公開（公告）日 2020-03-17
申請公布號 CN110890416A 申請公布日 2020-03-17
分類號 H01L29/06;H01L29/41 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮亞寧;曹孫根;黃志祥;朱浩然;汪海波 申請（專利權(quán)）人 安徽微半半導體科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 247000 安徽省池州市池州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)雙龍路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種復合內(nèi)鈍化層雙溝槽結(jié)構(gòu)大功率整流器件應用芯片，芯片臺面為兩并列的雙溝槽設計，芯片上層摻雜層為P型摻雜層，下?lián)诫s層為襯底N型摻雜層，在上下?lián)诫s層表面電鍍金屬層，溝槽側(cè)面和底部采用納米級的氧化膜以及多晶硅加氮化硅加特種玻璃組份材質(zhì)的鈍化膜對芯片P/N結(jié)進行保護，雙溝槽鈍化膜依次層疊有納米級微高純度氧化層、多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃層，雙溝槽設計改善了切割對溝槽側(cè)面和底部鈍化層帶來的損傷，復合鈍化層物質(zhì)使本發(fā)明的芯片具有500℃結(jié)溫特性，提高了芯片可靠性和穩(wěn)定性。