一種復(fù)合內(nèi)鈍化膜單溝槽結(jié)構(gòu)高可靠性整流器件應(yīng)用芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201811046696.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110890415A | 公開(公告)日 | 2020-03-17 |
申請公布號 | CN110890415A | 申請公布日 | 2020-03-17 |
分類號 | H01L29/06;H01L29/12 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 馮亞寧;曹孫根;黃志祥;朱浩然;汪海波 | 申請(專利權(quán))人 | 安徽微半半導(dǎo)體科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 247000 安徽省池州市池州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)雙龍路2號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種復(fù)合內(nèi)鈍化膜單溝槽結(jié)構(gòu)高可靠性整流器件應(yīng)用芯片,芯片臺(tái)面的采用單溝槽設(shè)計(jì),溝槽內(nèi)壁表面采用復(fù)合內(nèi)鈍化層結(jié)構(gòu),復(fù)合內(nèi)鈍化層由多晶硅膜以及底層高純度納米級氧化膜、氮化硅膜、玻璃組成。芯片由中間層單晶半導(dǎo)體本體、上層為P型硼結(jié)區(qū)和下層為N型磷結(jié)區(qū)的芯片體、臺(tái)面、上電極金屬層、下電極金屬層。本發(fā)明解決了芯片溝槽采用玻璃作為鈍化層的保護(hù)膜的可靠性差和高溫特性差的問題。 |
